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中國在芯片制造技術(shù)方面的最新進(jìn)展包括多個方面。首先，中國正在研發(fā)采用193nm波長光的浸潤式光刻設(shè)備，如2050i和2100i，這些設(shè)備具備生產(chǎn)7nm制程芯片的能力，并理論上能夠生產(chǎn)5nm制程芯片。此外，臺積電已經(jīng)開始研發(fā)1.4nm級制造技術(shù)，名為14A，預(yù)計將于2027年-2028年之間量產(chǎn)。這表明中國在追求更先進(jìn)的芯片制造技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展。

盡管面臨供應(yīng)鏈不確定性、政治經(jīng)濟(jì)波動等挑戰(zhàn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍展現(xiàn)出韌性和增長潛力，技術(shù)創(chuàng)新，如芯片制造技術(shù)的進(jìn)步，將是推動行業(yè)增長的關(guān)鍵。英特爾CEO提到，在美日荷聯(lián)合限制下，中國芯片技術(shù)將落后10年，但這也反映出中國在芯片制造技術(shù)方面面臨的挑戰(zhàn)和壓力。

另一方面，以Chiplet（類CoWoS）技術(shù)為核心的先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)在AI算力芯片需求持續(xù)增長背景下受到了封測代工企業(yè)的關(guān)注，預(yù)計全球龍頭有望持續(xù)投入。這表明中國在芯片制造技術(shù)方面的另一個重要進(jìn)展是向先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型和升級。

中國在芯片制造技術(shù)方面的最新進(jìn)展主要包括：研發(fā)更高精度的光刻設(shè)備以實(shí)現(xiàn)更小制程芯片的生產(chǎn)；開始研發(fā)1.4nm級制造技術(shù)；面臨挑戰(zhàn)但展現(xiàn)出技術(shù)創(chuàng)新和增長潛力；以及向先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型和升級。這些進(jìn)展顯示了中國在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的積極參與和發(fā)展?jié)摿Α?/p>